BSS138N E6433
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies BSS138N E6433
| Artikelnummer: | BSS138N E6433 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Infineon Technologies BSS138N E6433 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BSS138N E6433.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-SOT23 Serie SIPMOS® Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 230mA, 10V Verlustleistung (max) 360mW (Ta) Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 41 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.4 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 230mA (Ta) BSS138N E6433 Einzelheiten PDF [English] BSS138N E6433 PDF - EN.pdf -
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